Наибольшее распространение на практике получили туннельные диоды из , , а также из . Эти диоды находят широкое применение в качестве и высокочастотных переключателей, они работают на частотах, во много раз превышающих частоты работы , до 30...100 ГГц.
Туннельный диод был изготовлен в , который в получил по физике за экспериментальное обнаружение эффекта туннелирования электронов в этих диодах.
[ ] История изобретения
Обычные при увеличении прямого напряжения увеличивают пропускаемый ток. В туннельном диоде электронов добавляет горб в , при этом, из-за высокой степени p и n областей, напряжение пробоя уменьшается практически до нуля. Туннельный эффект позволяет электронам преодолеть энергетический барьер в зоне перехода с шириной 50..150 u при таких напряжениях, когда зона проводимости в n-области имеет равные энергетические уровни с валентной зоной р-области. При дальнейшем увеличении прямого напряжения n-области поднимается относительно р-области, попадая на запрещённую зону р-области, а поскольку тунелирование не может изменить полную энергию электрона , вероятность перехода электрона из n-области в p-область резко падает. Это создаёт на прямом участке вольт-амперной характеристики участок, где увеличение прямого напряжения сопровождается уменьшением силы тока. Данная область и используется для усиления слабых сверхвысокочастотных сигналов.
Вольт-амперная характеристика туннельного диода. В диапазоне напряжений от U1 до U2 дифференциальное сопротивление отрицательно.
Обозначение на схемах
У этого термина существуют и другие значения, см. .
Материал из Википедии свободной энциклопедии
Туннельный диод Википедия
Комментариев нет:
Отправить комментарий